刻蚀设备 -- 先进制程刻蚀机已在客户端通过多道制程工艺验证，并实现量产应用

　　薄膜沉积 -- 先进制程薄膜沉积设备(14nm)已在客户端通过多道制程工艺验证，并实现量产应用

　　逻辑：12英寸设备已应用于65nm到5nm及更先进生产线nm及以下的一体化大马士革刻蚀进展良好

　　存储：设备已在64层和128层3D NAND量产先上应用，已通过动态存储器工艺验证并取得订单，60:1极高深宽比刻蚀进展良好

　　ICP -- 可满足55nm到28nm逻辑芯片ICP刻蚀工艺，在DRAM、3D NAND和存储器件刻蚀应用范围不断拓展，已在20家客户产线上量产

　　LPCVD设备：首台CVD钨设备已交付关键存储客户端验证，满足先进逻辑接触填充、64层和128层3D NAND应用。正在开发新的金属钨填充工艺方案，以满足更高深宽比接触孔及沟道电极需求

　　ALD设备：ALD钨设备正在开发，可应用于高端存储，已开始实验室测试及与客户对接验证。应用于高端存储和逻辑的ALD氮化 钛设备已进入实验室测试阶段

　　HDPCVD -- 可以同时进行薄膜沉积和溅射，薄膜致密度更高，已通过产线、FSG、PSG等介质薄膜材料

　　2023年前四月新签半导体设备订单2.42亿元，近22年全年水平。截至22年末半导体在手订单2.57亿元

　　ALD：获得逻辑、存储、化合物、新型显示批量订单，12寸 28nm逻辑high-k设备获得量产验证

　　逻辑：实现28nm及以上成熟制程的产业化应用，高端工艺技术水平14nm制程仍处于客户验证阶段

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　　清洗设备 -- 备已能满足28nm全部湿法工艺需求，14nm及以下有4台订单交付

　　离子注入设备 -- 28nm低能大束流、低能大束流重金属、低能大束流超低温和高能离子注入机以实现商业化

　　膜厚设备、OCD设备、电子束设备均已取得多家客户批量性订单，半导体硅片应力测量设备取得客户订单并完成交付，明场光学缺陷检测设备已取得突破性订单，且完成首台套交付

　　量检测设备 -- 已量产多款28nm及以上量检测设备，2Xnm套刻精度量测设备正在验证，已取得客户订单，1Xnm无图形晶圆检测设备处于研发中